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此外，山浪山仿收通过计算电荷密度差等值面发现，纯KVO和氧缺陷KVO的Zn位点附近的电荷都显着降低，而相邻V位和O位附近的电荷显着增加。截止目前，漫赏针对这两种材料自身瑕疵（如：晶体结构不稳定、金属元素溶解以及导电率差等）而展开的研究可谓花样百出，层出不穷。

通过循环伏安法对Od-VO2-G和纯相VO2的电化学反应动力学进行分析发现，秋绚氧空位和异质界面促进了电容型电荷存储和加速了锌离子的扩散速率，秋绚这些结论与电化学阻抗谱（EIS）测量和DFT计算相吻合。因此，袭漫氧缺陷的VO2（VO1.75）在100mAg-1时达到375mAhg-1的放电容量，与无缺陷VO2（在100mAg-1时为280mAhg-1）相比，容量提高了34％。佛打翻图4.缺陷和异质结工程的协同效应（a）纯VO2纳米带和Od-VO2-rG电极在0.1Ag-1的3个循环后的奈奎斯特图和等效电路拟合。

图3.（a-b）（200）和（-601）峰的计算出的XRD图的放大，调色显示了VO1.75与VO2的移动趋势，调色（c-d）VO2和VO1.75的态密度（PDOS）计算结果，（e）VO2和VO1.75中沿b隧道的锌离子扩散途径，（f）计算的VO2和VO1.75中的Zn离子扩散能垒。（b）Zn2+在化学计量比VN0.9O0.15和无序岩盐VNxOy（x≈0.2，盘美y≈2.1）中的扩散系数随放电深度的变化而变化。

（c）无序岩盐VNxOy（x≈0.2，不胜y≈2.1）的Ragone图。

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